中国最大闪存芯片制造商长江存储近日在美向美国存储芯片巨头美光及其子公司提起专利侵权诉讼，要求法院禁止美光继续使用长江存储的多项3D NAND技术专利，并赔偿损失和诉讼费用。长江存储称，美光的多款固态硬盘产品涉嫌侵犯了长江存储的8项专利，这些专利涉及到3D NAND存储器的形成方法、控制方法、直通阵列接触、读取方法和多层堆叠方法等方面。

长江存储成立于2016年7月，总部位于湖北武汉，主攻设计、制造3D NAND闪存芯片。由于采用了自研的晶栈架构，长江存储在技术上已经追上国外巨头，在NAND领域，长江存储2021年就量产了128层3D堆叠产品，232层产品亦开始上量。美光是存储芯片龙头公司，与长江存储在NAND市场是竞争对手。据集邦咨询数据，2023年二季度的NAND市场，美光市场份额为13%，排名第五。在市场体量上，长江存储与美光差距较大。

记者了解到，存储芯片主要分为动态随机存储和闪存两类，前者属于易失性存储器，即一旦断电存储资料立刻流失，一般被用作内存辅助中央处理器进行计算；后者为非易失性存储器，用于存储资料和制造固态硬盘。

长江存储在起诉书中称，美光在未经授权的情况下使用长江存储专利技术来进行市场竞争，保护其市场份额，且美光未就使用上述专利支付合理费用，侵犯了长江存储的利益，遏制了后者的创新动力。长江存储还指控称，美光在自己的专利文件中引用了长江存储相关专利，证明美光了解长江存储的专利组合非常重要，但美光并未采取任何实际行动寻求获取长江存储专利授权。

根据长江存储的说法，美光的96层、128层、176层、232层的3D NAND存储器，包含的技术方案均落入长江存储专利权的保护范围，并被使用于美光旗下固态硬盘中。法院应禁止美光的持续侵权行为并追究责任，且由美光就损失和诉讼费用进行赔偿。

有业内人士称，此次长江存储向美光起诉专利侵权在行业内具有重要意义。长江存储在起诉书中称，目前其已是全球3D NAND技术领导者，获得行业和第三方机构的广泛认可，其技术创新改进了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和产量，使得多种电子设备创新成为可能。

全球范围的专利诉讼中，科技公司之间的专利诉讼非常常见和普遍，尤其在通信技术领域。兴展律师事务所合伙人李亮告诉《中国贸易报》记者，长江存储提起的诉讼不仅是为了终止美光未经授权使用长江存储专利创新，也是为了争取更多的谈判优势，获得更有利的市场竞争地位。从以往的案例来看，有一半以上的诉讼最终以双方和解结束。该案中，长江存储方也明确表示，若法院未能就美光侵犯专利下达产品永久禁令，应制定相关方案，如美光向长江存储支付专利授权费等。因此本案实现专利交叉许可，彼此达到双赢的概率更大。

“随着我国企业不断创新，在技术上取得突破，积极参与国际市场竞争，在境外与高新技术领域行业巨头发生矛盾是不可避免的。长江存储在芯片方面拥有不少专利，也累积了一定的诉讼经验。适时利用法律手段采取提起专利侵权诉讼对企业长期布局是非常有利的。”李亮表示，这也提醒其他“走出去”的企业，要利用好知识产权这一参与国际经济竞争的重要工具，帮助企业通过许可方式实现专利权的转移转化。